转自台湾精实新闻的消息，美国记忆体大厂美光(Micron)宣布，与记忆体厂商华邦电拟进一步合作开发新一代超高速序列式编码型快闪记忆体 (Serial NOR Flash )，抢攻汽车电子、穿戴装置，以及智能家庭等物联网应用商机，预计明(2015)年1月就会开始送样认证1GB芯片。
据了解，美光日前宣布与华邦电结盟，双方将开发新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash产品线；双方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比现有序列式NOR Flash具更好的性能。美光已于12月推出256MB及512MB 容量芯片，预计于明年1月进一步推出1GB芯片并进行送样。
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